解決電磁干擾一般有三種方法，一是降低干擾源的強(qiáng)度，二是增強(qiáng)被驅(qū)動(dòng)MOS管的抗干擾能力，三是阻斷干擾路徑。在本例中，干擾源是干式變壓器要傳輸?shù)拿}沖，無法減少。在驅(qū)動(dòng)器中加入負(fù)壓可以大大增強(qiáng)MOS管的抗干擾能力，很多電源都采用這種方式。在這個(gè)例子中，采用了第三種方法，即在驅(qū)動(dòng)干式變壓器的繞組之間增加屏蔽層，其結(jié)構(gòu)由五個(gè)繞組和五個(gè)屏蔽層組成。

整個(gè)干式變壓器從左至右逐層繞制，N1接至控制回路的地。兩個(gè)下管驅(qū)動(dòng)繞組同時(shí)與N2相連，因?yàn)殡妱葑兓苄。运鼈儗?shí)際上連接到電源地。N3和N4纏繞上管繞組na，并與NA的不同名稱端連接；N5將繞組nd與NA隔離。這樣，每個(gè)繞組與其屏蔽層處于相同的電位，它們之間沒有電容電流。當(dāng)上管TA導(dǎo)通并且上管繞組NA的電位上升時(shí)，屏蔽層N3和N4的電位也上升。由于N2和N3之間的分布電容，這種跳躍會(huì)在這兩個(gè)屏蔽層之間產(chǎn)生電流，但對管的驅(qū)動(dòng)沒有影響，只會(huì)消耗很少的主功率。在實(shí)際電路中采用帶電磁屏蔽的驅(qū)動(dòng)干式變壓器后，問題得到了徹底解決。

解決分布電容引起的截?cái)喙苷`導(dǎo)有兩種方法：設(shè)置負(fù)壓驅(qū)動(dòng)和屏蔽隔離。干式變壓器增加屏蔽層會(huì)使驅(qū)動(dòng)干式變壓器的設(shè)計(jì)變得復(fù)雜，但在不修改電路的情況下，這仍然是一種實(shí)用有效的方法。